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Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似相关论文
MOSFET栅氧泄漏隧穿电流的分析模型:量子力学研究
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型.采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
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反型层量子化
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