ZnO:Pb薄膜相关硕士博士期刊学术论文

ZnO是一种II-VI族直接带隙宽禁带氧化物半导体,室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60meV。其纳米材料在光发射二极管和气敏元......