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ZngO半导体薄膜相关论文
宽禁带ZnMgO半导体薄膜紫外探测器的制备和特性研究
ZnO是一种直接宽带隙的半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),在室温下有很高的激子束缚能(60 meV),外延生长温度低,抗辐射能力强。通过Mg的......
学位
紫外探测器
射频磁控溅射
等离子体辅助分子束外延
ZngO半导体薄膜
光电子能谱
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