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Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨......
期刊
3C-SIC
碳化
异质外延
生长
SI衬底
3C-SiC
carbonized
eteroepitaxial
growth
Si substrate
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