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气态源分子束外延生长GexSi1—x/Si异质结合金
采用气态源分子束外延法成功地生长了GexSi-x/Si异质结合金材料,所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍身被用于原位监控生长层的表面重......
期刊
GexSi-x
异质结合金
气态源
分子束外延生长
GexSi1-x alloy
GSMBE
Commensurate growth
Latticemis
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