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光电化学刻蚀n^+—Si的电致发光
n+-Si在HF水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅(PS)具有较好的电致发光(EL)性能,其发光光谱的波长范围约在500~800nm之间,阴极EL的波长和强度均随调制电位......
期刊
刻蚀
多孔硅
电致发光
光淬灭
PS
光电化学
n+Si
Etching
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Electroluminescence
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