当金属材料与半导体材料相互接触时,由于材料的功函数不同,可以形成两种截然相反的接触:肖特基接触和欧姆接触。在不同的制备工艺......

系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量......

通过电流-电压(I-V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型GaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制.Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起......

研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线......

近年来,GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。......

GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、......