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纳米Al2O3掺杂对厚膜应变电阻性能的影响
采用粒子尺寸为8nm的纳米Al2O3作掺杂改性剂,通过选择合适粒径和配比的导电相、玻璃及烧结工艺,得到一种GF为13、电阻温度系数小、稳定性良好的在......
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纳米氧化铝
厚膜应变电阻
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nanoalumina
thick film strain resistor(TFSR)
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