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HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响
采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能......
期刊
铪钛氧化物
高K栅介质
氮化
淀积后退火
HfTiO
high-k gate dielectric
natridation
post-depositio
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