采用ＳＯＩ／ＣＭＯＳ工艺成功地研制出沟道长度为０．８μｍ的ＳＯＩ器件和环振电路，在５和３Ｖ电民压时５１级环振的单门延迟时间分别为８２ｐｓ和２８１ｐｓ，速度明显高于相应的体硅电路，由于采......