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半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响.用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-......
期刊
LEC
SI-GAAS
位错
AB-EPD
跨导
饱和漏电流
夹断电压
LEC SI-GaAs
dislocation
AB-EPD
transconducta
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