双台面工艺相关论文
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在硅衬底上外延生长一层Si1-xGex合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si1-xGEx窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和......
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT．器件表现出了良好的直流和高频特性，最大电流增......
