旁栅效应相关论文
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
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研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。
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采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集......
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影......
采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAsMESFET的旁栅效应，分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性，并从理论上......
研究了改变ＭＥＳＦＥＴ漏源电压大小和交流源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级ＥＬ２的碰撞电离关系。......
旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.本文研究了旁栅阈值电压Vth SG与旁栅距LSG的关系,发现Vth SG的大小与LSG成正比......
研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响，并研究了旁栅阈值的光敏特性．结果表明：半绝缘衬底中的电子和空穴陷......
采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极，通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数，深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对......
在位错密度不同的ＬＥＣ半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ衬底上离子注入制做ＭＥＳＦＥＴｓ，观察衬度位错对ＭＥＳＦＥＴｓ旁栅效应的影响，结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应。......
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理，通过详细地分析论证，认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道一衬底界面区的电......
旁栅效应是制约GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压VthSG与旁栅距LSG的关系,发现VthSG与LSG......
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
GaAs器件与电路具有速度高、功耗低、噪声小、耐高温、抗辐射等优点，在光纤通信、卫星、超高速计算机、高速测试仪器、移动通信和航......
