晶须生长相关论文
MAX相表面A元素晶须的自发生长引起了人们对其稳定性的疑虑,从而妨碍了MAX相材料的实用化进程。本文研究了一系列不同Ga含量、不同......
锡及锡基合金镀层具有良好的可焊性、导电性、延展性和耐蚀性,其电镀技术在电子工业中得到了广泛地应用.对纯锡电镀、Sn-Ag电镀、S......
@@半个多世纪以前，人们研究含有镀锡层电子器件的失效原因时，发现由镀层生长出的锡晶须由于具有良好的导电性，当其足够长或脱落时会导......
本文在NaOHMgSO·H0体系中由水热反应直接得到了硫氧镁(MOS)晶须,并研究了时间对晶须生长型貌的影响.......
本文研究了室温与高温时效过程中稀土相CeSn3，ErSn3与YSn3表面Sn晶须的生长情况。研究结果表明，时效过程中在稀土相的表面会出现Sn晶......
本文讨论了锡晶须的各种形态以及其长度的具体测量方法,并在试验研究的基础上进一步分析抑制非光滑(哑光)纯锡镀层上锡晶须生长的......
研究了用气液法制备碳酸钙晶须时，工艺因素对晶体生长情况的。利用Ｘ射线衍射鉴定了试样中文石型碳酸钙的含量。经过实验发现，适宜于文......
晶须是丝状单晶,由于其的乎完美的结构引起人们的研究兴趣.该论文第统地研究Bi2212相晶须的生长、内部结构和输运性质.各章的主要......
FeS2矿物分布于多种岩石和矿床中，一直是矿物学领域的重要研究对象。前人成果显示，其在地质条件分析、地质环境评价、环境改善、材料......
激光作为一种热源,由于其具有的瞬态非平衡能量输出机制以及作用在材料时的超快加热效应,近几年在纳米材料的制备中已有所应用。当......
随着焊料无铅化进程的发展，纯锡镀层已经逐渐取代传统的锡铅镀层，被广泛应用在电子封装工业中。在纯锡镀层的表面极易生长的锡晶须容......
电子无铅化进程的进展，要求用纯锡镀层逐渐取代锡铅镀层，目前它已成为电子封装技术中的一个主要工艺。由于纯锡镀层表面有很强的晶须......
本文采用高温助熔剂球团合成法,以工业废弃水氯镁石为原料,研究工艺参数及杂质对晶须生长的影响,探讨晶须合成反应机理和生长机制,......
莫来石（3Al2O3·2SiO2）是Al2O3—SiO2系中唯一稳定的化合物,具有抗蠕变、抗热震、抗腐蚀性能好,熔点、剪切模量高,介电常数及介质损......
该文针对连续铸钢工艺中的关键部件滑动水口存在的由于强度低,尤其是韧性差而造成的使用寿命低的问题,研究了在AlO-C质耐火材料中......
以树脂，金属和陶瓷为基质，添加各种晶须构成高性能复合材料已成为目前国际材料科学发展的趋势。然而，传统的碳晶须、碳化硅晶须、氮化......
以激光为热源，以SiC纳米颗粒材料为前驱体，进行了激光照射下SiC纳米颗粒原位生长晶须的试验，探索SiC晶须在激光照射下稳定生长的工艺......
《中国国际表面处理展SFCHINA》是目前中国和亚太地区内最具规模和影响力的表面处理行业展览会之一。今年的展会将于2003年11月5～7......
采用碳热还原法在温度为１１２０－１６７０℃、压力为０．１ＭＰａ的Ｎ２条件下，在石墨电阻炉内制备出直径为５０－１７００ｎｍ，长度为５－３１２．５μｍ的ＮｂＣｘ（ｘ＝０．９５）晶须。本文介绍了制备的工艺条件及相应的晶须形......
在以稻壳为原料，氧化物类作催化剂反应生成ＳｉＣ晶须的过程中，催化剂的主要作用是形成液相，晶须生长方式以ＶＬＳ为主，同时料内有少量ＶＳ方式生长的晶......
在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究......
本文通过对Ｓｉ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系统的热力学分析，利用ＳｉＯ＿２和石墨为原料分别在１２００～１３００℃和１２５０～１４００℃流动Ｎ＿２气氛中制备了α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须。并对Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的合成反应机理进行了讨论。......
对所制备的α-Al_2O_3晶须的特殊形貌及其生长过程进行了研究。实验结果表明,该晶须的生长首先经过气态成核粒子在铝粉颗粒表面氧......
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实验研究了三种碳原料和七种硅原料反应生成ＳｉＣ晶须工艺过程，结果表明，反应生成碳化硅晶须的固相原料中，除稻壳外，白炭黑作为硅源，喷雾炭作......
通过引入金属Ｓｉ和活性Ｃ对ＳｉＣ晶须在Ａｌ２Ｏ３－Ｃ复合耐火材料中的原位生长进行了实验研究，利用ＳＥＭ结合电子探针（ＥＭＡ）研究了ＳｉＣｗ在Ａｌ２Ｏ３－Ｃ复合耐火材料中原位生长机理，提出ＬＳ生......
讨论SiC晶须生长的主要过程;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长....
