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沟道衬底结相关论文
GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道一衬底界面区的电......
期刊
GAAS
MESFET
旁栅效应
迟滞特性
沟道衬底结
电子陷阱
GaAs MESFET sidegating effect hysteresis channe
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