硅器件相关论文
本文通过采用光感生电流法(OBIC)分析了大功率硅半导体p-n结表面定态光电导下耗尽区的扩展,分析了OBIC曲线所反映的高压硅器件台面......
光感生电流测量技术是一种可用于分析半导体中p-n结分布的非破坏性方法.光感生电流测量技术通过测量光电流的变化,可以在微米尺度......
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
赞助Formula E,又要参加CES,这家靠生产电阻起家的日本零部件企业想要在汽车业更进一步虽然没有F1比赛中燃油机轰鸣的震耳欲聋,但......
第十届全国半导体集成电路硅材料学术年会于1997年9月15日至19日在青岛召开。大会共录用论文169篇,内容包括硅和其它硅基材料(50篇)、......
一、引言半导体的轮廓显示常采用染色、腐蚀及镀膜技术。迄今为止,这项工作只有凭经验,人们对试样的研究越多,就变得越精通。随着半导......
研究了直流溅射造成硅器件性能劣化的原因,探讨了用液相钝化预处理能提高溅射合格率的机理,提出了避免劣化的方法.试验证明,液相钝化多......
根据高压硅器件表面有机介质绝缘保护的特点,结合电镜分析手段,实验研究了高压硅pn结的有机SP硅漆-硅pn结界面,有机硅JUS-Si界面特性,并......
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明,众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的.高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度......
位于美国旧金山的信息产业基地被称为“硅谷”,中国的中关村被称为“中国硅谷”,那么硅与信息产业是什么关系呢, 硅——非金属元......
PFC中二极管的新选择在功率因数校正电路(PFC)中,600V升压二极管是关键元件,特别是工作在连续模式和苛刻开关条件下的PFC更是这样。在每一个开关周期......
比较了硅光电器件和MOS电容经300keV质子和1.25MeV射线辐照后光电参数的变化,讨论了Υ射线辐照的样管在150℃和200℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内......
甚深亚微米工艺的进展要求在设计和测试方面投入相应资金。设计的基础设施使先进设计能力得以实现是人所共知的,但测试投资往往被忽......
安森美半导体(ON Semi)日前正式推出全集成锁相环(PLL)集成电路系列中的首个器件NB4N507A。该系列专为替代高成本的晶振而设计,以......
根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓) 功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
本文介绍了几种玻璃钝化的材料和附着玻璃膜的方法。特别论述硅器件玻璃钝化的原理和工艺流程。在文章中还给出国内外玻璃钝化的发......
硅是最重要的微电子材料,它具有很好的电子特性和易加工特性。但硅的光学特性远不如其电子特性,因此在制造发光二极管和半导体激光......
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)宣布推出专为2.4GHz ISM(industrial scientific medical,ISM)频带应用而设计的功率放大器(po......
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦成立的独立半导体公司)近日推出业界领先的QU-BIC4 BiCMOS硅技术,巩固了其在射频领域的......
致力于实现智能化的安全互连世界的半导体技术领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布,旗下SoC产品部门(原为爱特公司......
国际整流器公司推出一系列25V及30V器件,采用了IR最新的HEXFETMOSFET硅器件和新款高性能PQFN3×3封装,为电信、网络通信和高端台式......
本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与......
碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替......
日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化......
3月22日,东莞市副市长张科在松山湖会见了中国科学院院士、中科院半导体研究所所长李树深一行。张科表示,培育一个新的产业关键是......
近场扫描光学显微技术与Raman光谱技术的结合能够在纳米尺度下提供化学 /结构信息 ,这对很多应用都是至关重要的 ,比如硅器件 ,纳......
东芝公司旗下的半导体&存储产品公司日前宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650 V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(S......
2014年10月28日,第十二届中国国际半导体博览会暨高峰论坛(IC China 2014)在上海新国际博览中心隆重开幕。IC China 2014以“应用......
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管——FFSH40120ADN。该1200V二极管凭借卓越的......
目前对于紧凑型高效率的功率转换系统的需求日益增长,电力工程师们也一直在这一领域努力研究。他们考虑采用更为先进的功率器件,例......
2015~2021年,SiC功率半导体市场预计将以19%的复合年均增长率高速发展SiC功率半导体正进入多个应用领域2015年,SiC功率半导体市场(......
美国北卡罗莱纳州立大学未来可再生能源传输和管理(FREEDM)系统中心研制出高压和高频碳化硅(SiC)功率开关,成本远低于同等碳化硅功......
单片微波/毫米波集成电路(MMIC)技术是世界各国大力发展的无线通信系统技术,符合系统多功能混合集成的趋势,减小了系统的体积和重......
近年来,随着半导体行业的发展,以碳化硅为代表的宽禁带材料进入人们的眼球,碳化硅器件因其耐高压、耐高温、损耗低、开关速度快等......
西殴各国的公司正谋求通过两项计划来实现高级电子器件的基础认识及设计方面的合作研究。其中一项计划称为“欧洲联合亚微米级硅......
美国国防部的超高速集成电路(VHSIC)计划是一项被宣传得遐迩闻名并获得有力支持的研究计划。这项研究计划正在产生成果。实际上,......
随着铜互连以及low-k电介质在超大规模集成电路中地广泛使用,low-k电介质的机械完整性及其对互连可靠性变得更加重要。影响介电膜......
罗杰·阿伦(RoprAllan)所期望的那种超硬、耐热和能在全球节省数十亿电力的碳化硅时代终于到来了。用碳化硅制成的电子开关能在硅片......
硅传感技术在汽车中大有用武之地汽车工业考虑的两件头等大事或许是可靠性和成本这就是在出现微加工技术时,汽车工业对它表示隆重欢......