移相掩模相关论文
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电......
本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层......
介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的......
为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术......
光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性......
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶......
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等.......
移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩......
光学光刻的生命力仍然在不断延续，即使在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然是一个非常重要的修选者，深亚微米不迩光刻工艺技......
<正> 在目前的64MbDRAM及不久的将来256MbDRAM的研制中,要求能描绘0.5μm以下,即亚半微米的特征尺寸,电子束和x射线光刻已被研究用......
<正> 引言 1990年处于这样一种状况,各DRAM厂家都结束了16M DRAM的开发而开始了正式的试制,并着手开发更大容量的64M DRAM。据报导......
使用移相掩模能实现亚半微米光学光刻。我们提出了一种用SiO_2作移相器的新的移相掩模。在石英掩模衬底上的SiO_2移相器具有在远紫......
综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术，可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。......
尽管其它光刻技术在不断快速发展，然而在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不......
半导体制造工艺从0.18μm技术节点开始,“亚波长光刻”技术被广泛采用。在亚波长光刻下,由于掩模制造、光刻和蚀刻过程中光的衍射......
信息技术的快速发展和集成电路设计的逐步完善，对半导体制造技术提出了更高的要求。集成电路的复杂度越来越高，最小线宽和最小间距变......
光刻机是芯片制造的重要装备之一,其核心是一套高精度的投影成像系统,这套系统的波像差是影响光刻机成像质量、光刻分辨率和套刻精......
