经时击穿相关论文
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-......
氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较......
通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不......
提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法 ,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,利用恒流应力前后MOS电容高频C V曲线结合恒流应力下......
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱......
采用恒定电压应力对90nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验，深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理，并对器件寿命进行预测和分析。结......
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是......
通过衬底热空穴（SHH，Substrate Hot Hole)注入技术，对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究。与通常的F－N应力实验相比，SHH导致的薄栅氧......
采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验，提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效的方法，该方法根据电荷陷落的动......
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着高电子迁移率、低导通电阻和高击穿场强等优点,在高频器件和大功率开关器件等领域得到......
这是一种基于Global拟合归一化的晶片级栅氧TDDB可靠性寿命的评估方法,根据栅氧化层TDDB失效累积时间遵从威布尔分布,对测试数据进......
讨论了栅氧化层击穿的统计模型，并对业界广泛应用的1／E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究，指出了各......
研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的T......
三维多处理器内存堆叠系统能够显著提升系统性能,但伴随而来的热密度以及散热成为影响电路可靠性的关键问题.为了研究并检测三维集......
热释电红外探测器具有响应光谱宽、功耗低、使用温度宽和灵敏度高等特点,能在室温实现红外探测和热成像,是国内外争相研究的高新技......
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特......
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栅氧化层的经时击穿作为影响互补型金属-氧化物-半导体集成电路可靠性的一个重要因素,一直是国内外学者研究的重点.为了对其进一步......
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通......
集成电路特征尺寸发展到90nm工艺时,栅介质层的厚度将至2nm以下,栅氧化层仅有几个原子层的厚度。在器件的栅电场强度不断增加情况......
当集成电路的特征尺寸发展到90nm时，MOS器件的栅介质层厚度将至2nm以下，仅相当于几个原子的厚度。在电源电压与栅介质层厚度不再等比......
随着半导体工业的发展，晶体管的尺寸不断减小，二氧化硅层的厚度将减至2nm以下，仅有几个原子层的厚度。传统的二氧化硅面临诸多严峻挑......
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化.首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是......
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