自加热效应相关论文
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发，采用商用TCAD软件建立AlGaN／GaN HEMT器件二维模型。针对自加热效应，在不同的直流偏置电压......
SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化,但一般SOI结构是以SiO作为绝缘埋层,导致一些不利的影响(如自加热效应等),限制了其应用,为......
大气压电子束空气等离子体具有许多独一无二的优点,近年来在材料表面强化、废气处理和超燃冲压发动机流动控制及辅助燃烧领域得到......
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子......
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效......
为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μ......
提出一种采用背面保温层的2倍频YAG激光晶化多晶硅技术.采用此技术后,晶化后的多晶硅薄膜的晶粒尺寸与霍耳迁移率都提高了将近一倍......
阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自......
得益于异质结结构，AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪......
氧化钨是一类非常重要的光学材料，具有热致变色，光致变色，电致变色，气致变色等特性，以及在节能环保，气敏传感，光催化，光电转换，超导，负胶材料......
SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域,但由于其SiO绝缘埋层的自热效应,使其在高温高功率器件中的应用受到局限.科学家们已经......
GaN基HEMT器件具有的大电流、高功率及良好的频率特性，可覆盖2-40GHz频段内的无线通讯领域，尤其是在基站、远距离空间通讯等需要高功......
随着半导体器件的特征尺寸进入纳米领域,器件集成度的提高使芯片功耗密度迅速增大。同时,为了解决器件尺寸缩小带来的短沟效应等问......
随着集成电路的不断发展,对集成电路器件的设计提出了更高的要求。一方面,不断减小的器件尺寸使得传统器件结构发生改变,出现了SOI......
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料包括GaAs、InGaAs、GaN在现代微电子工业和光电领域的占据重要的地位，GaN材料由于宽的禁带和高的热导率等独特性......
异质结双极晶体管(HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较宽的线性和高的效率，广泛适用于功率放大器、雷达、通讯及电子战系统、......
学位
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对无体接触的深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET器件的输出特性分别进行了等温、非等温和非等温能量输运3种模式的模拟,结果表明:SiO2......
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的......
首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不......
针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题，提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点，对抑制自加热效应原理进行了新的解析，根......
从器件I-V特性的角度，表征了射频功率异质结双极晶体管（HBT）的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性......
采用有限元分析方法（FEM）求解泊松方程，连续性方程，以及热传导方程对A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究。着......
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评......
与常规体硅器件相比，SOI器件由于其独特的结构，常常会产生较严重的自加热效应，影响器件的可靠性。文中阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自......
为了减少经典SOI器件的自加热效应，首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN，用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构．实验结......
该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立AlGaN/GaNHEMT器件二维模型。针对自加热效应,在不同的直流偏......
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响，并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求，国内外正在竞相探索......
ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响，给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效......
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效......
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的......
提出一种图形化SOI LDMOSFET结构，埋氧层在器件沟道下方是断开的，只存在于源区和漏区．数值模拟结果表明，相对于无体连接的SOI器件，此结......
分析了自加热效应对SON器件性能的影响，并与SOI器件进行了比较，提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应，分析了不同通路情......
在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬......
SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性，使......
为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响，提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型......
通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜ＳＯＩＬＤＭＯＳ的电热模拟对比，了二氧化硅低热导率对器件温度分布及Ｉ－Ｖ特性的应用。首次表征了仅由埋氧化......
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响......
SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点，SOICMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模......
研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件......
首先介绍了LPIND（Lateral Positive-Intrinsic-NegativeDiode）及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SO......
主要研究在大功率工作条件下的带封装的GaN HEM T器件自加热效应。当封装GaN HEM T 器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应......
研究环境温度(40℃、25℃、0℃和-15℃)对锂离子电池组(102 Ah、30.8 kWh)在新标欧洲循环(NEDC)工况下放电性能的影响。锂离子电池......
本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述......
