软关断相关论文
基于第三代宽禁带氮化镓（GaN）材料的功率半导体器件具有击穿电压高、电子迁移率高、寄生电容小及导通电阻小等优点。GaN功率器件正逐......
基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT).采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspi......
详细介绍IR公司最新推出的新一代针对交流电机的三相栅极驱动集成芯片IR2137的内部工作原理,及其所采用的新技术:退饱和保护电路,......
分析了IGBT驱动器应该具备的基本功能,设计了一种基于电磁隔离的IGBT驱动器,并进行了斩波与短路试验研究。试验结果表明,该驱动器......
本文针对三相四线制D-STATCOM提出一种控制简单的含软开关的主电路拓扑结构,该拓扑结构实现软关断仅需在主电路中增加谐振电感、谐......
本文研制了两个软关断型DC/DC电源模块,通过自动串并联来实现低压大电流或高压小电流输出,利用ADμC814单片机来实现均压、均流及......
研制了具有全Ｎ沟道ＶＭＯＳＦＥＴ的推挽输出电路，它能高速驱动大功率ＩＧＢＴ模块，并具有过流“软关断”保护功能。......
该文介绍了具有降栅压软关断过流保护功能的ＨＬ系列ＩＧＢＴ厚膜驱动器，使ＩＧＢＴ得到可靠的驱动与保护。短路实验证明该系列ＩＧＢＴ驱动器具有优良的驱动与保......
介绍了一种新型H桥驱动器TX-DA841HD,该电路具有强大的IGBT驱动与保护功能,可以选择四路直接驱动和桥臂互补驱动两种工作模式。电......
提出一种新型ZVT功率因数校正电路，将饱和电感和并联电容加入辅助开关网络中．运用此方法，主开关和辅助开关都实现软开通和软关断，最后......
提岀了一种开关管馈能式零电压软关断电路,由缓冲电路、储能电容和馈能电路构成。当开关管关断时,由缓冲电路中的缓冲电容实现开关......
目前,应用于风力发电机组中的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的功率等级较高,对IGBT的驱动保护技术的要求更高。文章着重介绍和分析了一种......
论述具有完善短路保护功能的IGBT驱动器HL的工作去向工作原理和它在弧焊电源上的应用，试验表明它可保证焊机可靠运行。......
介绍了一种双正激软关断电路的工作过程。应用该电路实现了某车载电源系统的24V/12A电源,论述了电路中主功率变压器和谐振电容、谐......
详尽分析了IGBT的有效保护要求和EXB841驱动电路的过流状态自识别保护过程,对其保护特性的不足进行了深入探讨,给出了TEM-2型电磁......
提出一种采用PAM的变频式软启动器，为实现高功率因数、低谐波的软启动奠定了基础。并且采用同步电路以实现安全切换，详细分析了和研......
本文针对EXB841经典IGBT驱动电路存在的不足：过流保护阈值过高、存在虚假过流、负偏压不足，过流无保护自锁及无报警电路。因此，提出一......
应用一种双正激软关断电路，实现了某车载电源系统的24V／12A电源，给出了该电源的主功率变压器和谐振电容、谐振电感的设计，并给出了实际......
为了使电力变换装置能够安全可靠地工作，在分析其短路保护设计方法的基础上，给出了几种实用的电流保护电路，并对其工作机理进行了详尽......
介绍一种双正激电路的软关断拓扑,分析了其软关断的工作原理,推导了实现软关断的关键技术参数的计算公式.采用该技术开发了3kW通信......
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料具有耐压高、开关速度快、临界击穿电场大、工作频率高、耐高温等特点,在对电力电子设备的效率和......
学位
随着IGBT功率等级的不断提高,IGBT驱动策略面临着新的挑战,如高耐压值与开关速度间的矛盾、开通速度较慢与更早地检测短路状态间的......
介绍了一种能有效整合DC／DC和DC／AC两级电能变换的自然软开关逆变器拓扑结构，详细分析了该拓扑工作在特殊直通零矢量时，逆变器开关管的......
详细介绍ＩＲ公司最新推出的新一代针对交流电机的三相栅极驱动集成芯片ＩＲ２１３７的内部工作原则，及其所采用的新技术：退饱和保护电路，电机制动触发......
期刊
研究并设计了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的智能化IGBT驱动电路.该电路由CPLD实现各种控制、保护逻辑.驱动电路的高、低电平......
针对传统的BoostZVT—PWM有源功率因数校正电路中辅助开关管为硬开关工作状态下开关关断损耗大、系统效率低的缺点，提出了在辅助开......
本文介绍了一种通过设置基础覆盖4G小区固定门限,建立LTE邻区忙时唤醒机制的5G智能节能方法并试点应用取得了良好的效果。5G的超大......
介绍了IGBT的驱动特性,对IGBT专用集成驱动芯片EXB841和M57962AL作了比较研究.根据EXB841在应用中存在的问题,提出了一种优化设计......
随着电力电子技术的不断发展,传统硅(Si)基电力电子器件已经逐步接近其物理极限,因此以SiC MOSFET为代表的第三代宽禁带功率半导体......
学位
研制了一种针对大功率IGBT的驱动电路。对IGBT驱动电阻的位置进行了讨论，提出了一种新的IGBT开通、关断速度控制方式。驱动电路自身......
随着功率器件向着大容量、高频率方向的发展,对续流二极管也提出了更严格的要求,硅作为自然界最丰富的材料之一,以硅为基础的功率......
目前,以IGBT为代表的第三代功率开关器件正在占领功率半导体市场的半壁江山,并且正向着高频率、大功率、低损耗、易驱动、低成本等......
为了抑制大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块在短路情况下的硬关断所产生的过高尖峰电压,提出了一种基于多等级动态栅电阻的软关断策......
为解决绝缘栅双极性晶体管(IGBT)在实际应用中经常出现的过流击穿问题,在分析了IGBT过流特性和过流检测方法的基础上,根据过流时IG......
基于电压源型换流器的高压直流输电(VSC-HVDC)具有很多的优点,因此,其将在未来的电网互联工程中具有广泛的应用。当连接VSC-HVDC的......
随着大功率IGBT生产技术的快速发展，其在新型工业、新能源、智能电网、轨道交通和国防中的应用越来越广泛，而大功率IGBT的驱动作为弱......
学位
近年来，国内外专家和学者主要是对VSC-HVDC换流器的拓扑结构、数学模型、技术特点、控制策略和系统保护进行了一系列研究和探讨，而利......
临床实验表明,长脉冲Nd:YAG激光在治疗皮肤血管类疾病和激光美容方面十分有效。例如,1ms～10ms的532nm倍频光对血管类疾病疗效很好[1......
大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块在电力电子设备中的运用越来越广泛,其对驱动器的性能要求也越来越高。IGBT可以承受短路的时间......
新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断速度越来越快,有些IGBT的电流下降时间已经缩短至50 ns内。虽然这样有利于提高IGBT的开关频......
IGBT是变频器、逆变焊机等变流设备中不可或缺的器件,随着IGBT制造和应用技术的日趋成熟,已成为当前应用最广泛的功率开关器件,而I......
隔离栅双极性晶体管（Insulated Gride Bipolar Transistor）简称IGBT，作为一种新型的开关器件，它与以往的开关器件相比具有不可比拟的优......
针对传统的Boost ZVT-PWM有源功率因数校正电路中辅助开关管为硬开关工作状态下开关关断损耗大、系统效率低的缺点,提出了在辅助开......
为解决中、大功率等级IGBT的可靠驱动问题，本文提出了驱动电路的关键参数设计方案同时，在变流器极端工况下研究了IGBT的相关特性，提出......
设计了一种宽范围输入电压的高可靠性电源电路,其可最大程度地满足车载电源要求,并通过软关断保证电控系统数据完整。电源电路输入......
在大功率孤焊电源设计中，IGBT已成为主流的可控功率开关器件。IGBT驱动电路作为功率电路和控制电路之间的接口，应具备驱动延迟小、安......
