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该文介绍了利用微波ECR-PCVD技术制备Si<,3>N<,4>薄膜的工艺过程及沉积温度对Si<,3>N<,4>薄膜的结构成分的影响。通过红外光谱（IR）检测表明，随着沉积过程中温度的提高，Si<,3>N<,4>薄膜中H的含量逐渐减少，密度逐渐增大，致密性得到显著提高。
Si<,3>N<,4>薄膜的制备及结构成分研究
【摘 要】
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该文介绍了利用微波ECR-PCVD技术制备SiN薄膜的工艺过程及沉积温度对SiN薄膜的结构成分的影响。通过红外光谱（IR）检测表明，随着沉积过程中温度的提高，SiN薄膜中H的含量逐渐减少，密
【机 构】
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中国科学院等离子体物理研究所
【出 处】
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第九届全国等离子体科学技术会议
【发表日期】
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1999年期
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