【摘 要】
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非晶铟镓锌氧化物半导体(α IGZO)因其具有较高的载流子迁移率和光学透过率,以及较好的均匀性和稳定性,是下一代柔性、透明显示中薄膜晶体管(TFT)的关键材料[1-3].相比于真空法制备IGZO TFT,溶液法具有工艺简单、成本低等优点.特别是近年来快速发展的印刷电子技术,可以直接将功能材料进行图案化沉积,材料利用率高,适合大面积批量化制备,被认为是颇具前景的工艺技术[4].但是溶液法制备的IGZ
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350002
【出 处】
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第六届全国柔性与印刷电子研讨会暨首届国际印刷电子产业峰会
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非晶铟镓锌氧化物半导体(α IGZO)因其具有较高的载流子迁移率和光学透过率,以及较好的均匀性和稳定性,是下一代柔性、透明显示中薄膜晶体管(TFT)的关键材料[1-3].相比于真空法制备IGZO TFT,溶液法具有工艺简单、成本低等优点.特别是近年来快速发展的印刷电子技术,可以直接将功能材料进行图案化沉积,材料利用率高,适合大面积批量化制备,被认为是颇具前景的工艺技术[4].但是溶液法制备的IGZO TFT需要在高温下(＞400℃)进行退火处理,以除去残留的有机溶剂以及促进前驱体溶液分解合成形成铟镓锌氧化物半导体,这不利于在柔性基板上进行制备.针对这一缺点,本文采用喷墨打印法将IGZO前驱体溶液打印在Si/SiO2基板上,先在较低温度下进行传统的热处理,以除去溶液中的有机残留物,然后利用波长为1064 nm,脉宽为15 ns,重复频率为300 KHz的脉冲激光对薄膜进行扫描处理,最终获得IGZO半导体薄膜.该工艺温度可以低至200℃,未来可直接应用在柔性基板上.对上述样品进行Ⅰ-Ⅴ性能测试,结果表明,经过脉冲激光扫描处理之后,其迁移率(1.2cm2/V·s)比没有经过脉冲激光处理的样品(0.004 cm2/V·s)提高了300倍,接近于400℃传统热退火的样品(1.6 cm2/V·s).
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