磁过滤弧源沉积系统是最新研制成功的可同时用于沉积金属膜和金属离子注入的系统，具有沉积速率快，离子种类多，离子能量可控等特点。该文首次利用磁过滤弧源沉积系统和快速灯光退火制备了硅化钛。实验中采用了两种工艺方法：一种是在单晶硅片上直接沉积１５０ｎｍ的Ｔｉ膜，然后进行快速热处理制备出硅化钛；一种是在单晶硅片上先注入１×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉的钛离子，然后在其上面沉积１５０ｎｍ的Ｔｉ膜，再注入１×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉的Ｔｉ离子，然后进行快速热处理制备出硅化钛。实验中观察到，在７００℃以上温度热退火后均出现了硅化钛相，随着退火温度的升高，ＴｉＳｉ相含量逐渐减少，ＴｉＳｉ〈，２〉相含量明显增加，到１０００℃后，ＴｉＳｉ基本转化为ＴｉＳｉ〈，２〉相。随着退火温度的升高，样品表面的方块电阻也呈下降趋势。两种工艺方法所制备出的样品的Ｘ射线衍射结果和方块电阻测量结果表明，第二种方法要好于第一种方法。