CuTsPc分子膜/P-Si界面光致电荷转移研究

来源 :中国化学会1988年全国LB膜学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yao_huaxin
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该文利用L-B技术,借助于表面光电压谱(SPS)方法,研究了CuTsPc超分子膜/P-Si<111>和具有C[*v18*]脂链间隙的CuTsPcL-B膜/P-Si<111>两种膜系的表面光伏特性,发现这两种膜系均显示出一种敏化效应,而且当CuTsPc为一个单分子层时,敏化效应最强。这说明了CuTsPc分子膜与P-Si界面光致电荷转移的存在,以及界面相互作用的重要性。(本刊录)
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