【摘 要】
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本文采用直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜,研究和分析了溅射电压和薄膜沉积速率随氧流量的变化.在反应溅射过程中,溅射电压随氧流量的增加逐渐升高,而薄膜的沉积速率在低氧流量下随氧流量的增加快速升高,在高氧流量下则又随氧流量的增加而逐渐降低.对于确定的氧流量,顺序增氧时的溅射电压要低于逆序减氧所对应的溅射电压,顺序增氧时的沉积速率则要高于逆序减氧时对应的沉积速率.分析表明,通过控制溅射电压可以生长特定钒
【机 构】
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电子科技大学电子科学技术研究院 电子科技大学光电信息学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实
【出 处】
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综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会
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本文采用直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜,研究和分析了溅射电压和薄膜沉积速率随氧流量的变化.在反应溅射过程中,溅射电压随氧流量的增加逐渐升高,而薄膜的沉积速率在低氧流量下随氧流量的增加快速升高,在高氧流量下则又随氧流量的增加而逐渐降低.对于确定的氧流量,顺序增氧时的溅射电压要低于逆序减氧所对应的溅射电压,顺序增氧时的沉积速率则要高于逆序减氧时对应的沉积速率.分析表明,通过控制溅射电压可以生长特定钒氧比和热阻性能要求的氧化钒薄膜.采用该方法制备的氧化钒薄膜的热阻特性,分析表明:在较低溅射电压下沉积的薄膜,薄膜方阻温度系数(TCR)最大绝对值所对应的温度相对较低;在较高溅射电压下沉积的薄膜,其相变特征较为明显,具有典型的半导体-金属(M-S)相变特征.
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