【摘 要】
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镍铬合金(NiCr)薄膜是一种重要的微电子工业材料,因其较小的电阻-温度系数(Temperature coefficient of resistance,TCR)而在集成电路中被用作温度控制材料。理解NiCr 合金薄膜中电子的输运机制,对低TCR 的NiCr 基器件的设计与开发具有重要意义。我们利用磁控溅射方法在本征Si 衬底上生长NiCr 合金薄膜,利用光刻和湿法腐蚀方法制备NiCr 薄膜器件,
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900
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镍铬合金(NiCr)薄膜是一种重要的微电子工业材料,因其较小的电阻-温度系数(Temperature coefficient of resistance,TCR)而在集成电路中被用作温度控制材料。理解NiCr 合金薄膜中电子的输运机制,对低TCR 的NiCr 基器件的设计与开发具有重要意义。我们利用磁控溅射方法在本征Si 衬底上生长NiCr 合金薄膜,利用光刻和湿法腐蚀方法制备NiCr 薄膜器件,并对器件的低温输运性质进行了测量。
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