金属性和半导体性单壁碳纳米管的可控制备是碳纳米管在纳电子器件中获得应用的重要前提。利用金属性和半导体性碳纳米管化学反应活性上的差异,我们分别采用氧化与后处理相结合及直接原位氧化方法宏量制备出平均直径约为1.6nm的半导体性单壁碳纳米管[1,2]。研究发现氧的加入能够选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管,而硫生长促进剂的加入可调控单壁碳纳米管的直径和产率。采用透射电镜、多波长激光拉曼光谱、紫外-可见-近红外吸收光谱和碳纳米管薄膜场效应管性能测试等手段表征了所得单壁碳纳米管的结构和输运性质。发现产物中半导体性单壁碳纳米管的含量与氧的加入量等密切相关。在优化条件下,可以得到含量约90%的半导体性单壁碳纳米管。这种大直径半导体性单壁碳纳米管可望被用于构建高性能场效应晶体管等电子器件。