【摘 要】
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本文采用ZnO和Cr靶交替溅射的方法在载玻片上制备了不同Cr含量的ZnO薄膜，以及在不同O2偏压下的Cr掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、吸收光谱和光致发光光谱(PL)对制备的样品进行了结构和光学性能的研究。结果表明，Cr掺杂之后使ZnO的晶格常数变小，并且随着Cr掺杂浓度的增加，吸收边发生红移，ZnO带隙变小。PL光谱结果显示出样品有三个发光峰:395nm，503nm和670hm，分别与自由激予复
【机 构】
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天津理工大学电信学院,天津市薄膜电子与器件重点实验室,天津,300191 天津理工大学材料物理研究
【出 处】
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全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议
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本文采用ZnO和Cr靶交替溅射的方法在载玻片上制备了不同Cr含量的ZnO薄膜，以及在不同O2偏压下的Cr掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、吸收光谱和光致发光光谱(PL)对制备的样品进行了结构和光学性能的研究。结果表明，Cr掺杂之后使ZnO的晶格常数变小，并且随着Cr掺杂浓度的增加，吸收边发生红移，ZnO带隙变小。PL光谱结果显示出样品有三个发光峰:395nm，503nm和670hm，分别与自由激予复合，O填隙(Oi)和Cr3+离子有关。Cr浓度和O2偏压增加会导致ZnO的这三个发光峰强度增强。
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