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采用射频磁控技术，用Ge、SiO<,2>的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜。分别采用沉积时控制基片温度和退火后处理工艺技术来调制薄膜中锗晶粒尺寸。结果表明两种工艺均能有效地对锗晶粒尺寸进行调制。对两种工艺进行了系统的研究，给出了锗晶粒尺寸与各工艺参数的关系，并对各工艺条件下锗晶粒的形成和长大进行了相应的讨论。