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Si—SiO[*v2*]界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子的慢俘获作用将导致双极晶体管电流放大系数h[*vFE*]随时间的漂移。该文从这种漂移的物理机制出发，建立了严格的数学模型，经过计算机模拟计算，求得了h[*vFE*]随时间的漂移曲线以及温度、发射结编压、基区表面势对漂移量的影响。结果表明基区表面势对漂移量的大小有重要影响，而高温老化是漂移失效筛选的有效手段。（本刊录）