CTGS高温压电晶体的坩埚下降法生长和性能表征

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:uuu_uuu
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  Ca3TaGa3Si2O14(CTGS)属于结构有序型硅酸镓镧系列晶体,具有比硅酸镓镧更加优异的高温压电性能.为开发该晶体在高温压电传感技术领域中的应用,本工作采用坩埚下降法进行了单晶生长,沿〈100〉方向和〈120〉方向定向生长得到了优质CTGS单晶(直径2.5cm,长6.0cm),摇摆曲线半峰宽数值小于50角秒.
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