【摘 要】
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在半导体芯片加工方面,目前还没有实用可控的SiC湿法腐蚀方法,开发的SiC微波器件和电力电子器件等工艺的腐蚀都是采用等离子体刻蚀的干法技术,刻蚀台阶形貌的控制成为影
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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在半导体芯片加工方面,目前还没有实用可控的SiC湿法腐蚀方法,开发的SiC微波器件和电力电子器件等工艺的腐蚀都是采用等离子体刻蚀的干法技术,刻蚀台阶形貌的控制成为影响器件性能的主要因素之一.对微波功率SiC MESFET来说,如何在不影响器件可靠性的前提下,保证器件的栅长尽量细,是提高器件性能的主要方法之一.对于目前S波段的功率器件来说,一般栅长要控制在0.3μm左右来保证器件的功率增益大于10dB,而且由于SiC微波功率器件的台面隔离无法像砷化镓器件工艺那样通过一般的离子注入就可以实现,而是要采用高温离子注入和高温退火,或采用等离子刻蚀技术来实现,鉴于工艺的复杂程度和成本,现阶段的SiC器件工艺,采用等离子刻蚀进行隔离的比较多.但是常用的硅或砷化镓刻蚀工艺中,往往要求对材料的干法刻蚀陡度越高越好.若按此要求,由于工艺上栅的形成是采用金属蒸发来实现,0.3μm左右细栅长的SiC MESFET在刻蚀台阶处的金属完整性将受到很大威胁,细金属栅在台阶处将很薄弱,即便不发生栅金属断条,栅金属也会不完整——很薄.
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