【摘 要】
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采用轧膜—浸涂—热压烧结方法制备了SiN(SiC)/BN层状陶瓷材料.在空气气氛中1100~1300℃温度范围内用三点弯曲法考查了其蠕变行为.结果表明,SiN(SiC)/BN层状材料的抗高温蠕变
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
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采用轧膜—浸涂—热压烧结方法制备了Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)/BN层状陶瓷材料.在空气气氛中1100~1300℃温度范围内用三点弯曲法考查了其蠕变行为.结果表明,Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)/BN层状材料的抗高温蠕变性能与Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)块体材料相当.良好的抗蠕变性能在于BN界面层的引入破坏了控制蠕变变形玻璃相的完整性和连续性.另一方面,BN界面层在烧结过程中可以吸收基体层中的液相,起到净化晶界的作用.在1150~1200℃左右,Si<,3>N<,4>(SiC<,w>)块体材料观察到一明显的蠕变"硬化"现象,这可能是由晶界玻璃相析晶造成的.
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