【摘 要】
：
本文报道了AlGaN/GaN HEMT器件制造中器件隔离工艺的研究结果.我们采用离子注入方法实现了1微米深度的器件隔离.通过对比两种不同缓冲层厚度材料的注入隔离工艺以及对比采用R
【机 构】
：
中科院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室(北京)
【出 处】
：
第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
本文报道了AlGaN/GaN HEMT器件制造中器件隔离工艺的研究结果.我们采用离子注入方法实现了1微米深度的器件隔离.通过对比两种不同缓冲层厚度材料的注入隔离工艺以及对比采用RIE刻蚀和离子注入方法的隔离结果,我们认为:材料的漏电主要存在于外延材料的形核层以及靠近形核层的缓冲层区域.此外,我们的离子注入后器件隔离的热稳定性研究结果表明:经过700℃,90秒的热处理后,器件的隔离仍保持原有的水平.隔离的机理很可能是一种热稳定性较高的载流子俘获中心起主要作用.
其他文献
这篇论文试图刻画对于中国而言正确的宏观经济战略的轮廓。简言之,我们认为解决方案包括降低储蓄特别是私人储蓄,增加服务的供给特别是医疗服务,以及人民币升值。这也正是我
金刚石具有非常优异的物理性能,如有最高的硬度、室温下最高的热导率、极小的热膨胀系数、全波段高光学透过率、声传播速度快、介电性能好、掺杂后具有半导体性质、并有极佳
本文主要阐述了反应离子蚀机的刻蚀机理,及真空系统中水汽等残余气体、工作压强、基片温度对刻蚀的影响,并着重讨论了基片温度的控制方法.
惰性气体在晶体材料中的溶解度很低(一般低于1ppm),当过量引入时会在材料基体的各类缺陷处析出,形成纳米尺寸的气泡(bubbles).非金属材料(半导体、陶瓷等)中形成的惰性气体泡
本文主要介绍了CA6140型卧式车床数控改造的系统配置及主要技术规格,阐述了车床的主传动系统、进给传动系统及辅助机构进行数控化改造的改造部位和方法。改造后的数控车床的
本文介绍了用有限元法分析计算大型离子束刻蚀机的工作台扫描基准(真空室)的形变和工作台面的热载及受热形变,选择了合理的设计方案和补偿措施.
HDP刻蚀系统可以在低气压下提供高密度的等离子体,从而获得良好的刻蚀特征.本文详细介绍了在HDP刻蚀系统中离子和中性粒子的输送过程及其遵循的基本规律,并且介绍了经化学改
研究了基于人工时反处理的水声信号盲解卷方法,并在此基础上提出了一种基于简正波模态分解的低频水声信号的盲解卷处理方法。该方法适用于浅海波导中垂直阵接收的远程低频水
在过去的30多年中微电子工业的发展主要是遵循按比例缩小晶体管来提高集成度和降低成本的.目前主流微电子芯片上的晶体管的数目已超过10亿,典型晶体管的特征长度已突破100纳
本文通过对离子束溅射淀积薄膜的工艺参数的分析,和实验所得出的经验,对指导离子束蚀刻镀膜操作人员在该类设备上制作出优良的薄膜具有一定的参考实用价值.