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在已研制的亚纳秒级GaAs光导探测器的基础上,通过改变基片材料纯度、微带厚度、选择不同性能的导电胶和焊料以及中子辐照GaAs晶体等工艺过程,使该探测器的响应特性得到明显的改善和提高.经分别在N<,2>分子激光器、DPF-200号X光装置、晨光号电子束装置、5μs闪光灯和飞秒级染料激光器上的标定,以及实际的应用,均给出满意的快速响应和输出波形.