【摘 要】
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基于GaN材料的高电子迁移率晶体管以其较高的击穿电压、较高的电子迁移率和较大的禁带宽度正成为下一代电力电子功率开关器件的有力竞争者.本文报道了一种基于氧化-湿法腐蚀
【机 构】
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北京大学,微电子学研究院,北京市海淀区颐和园路5号,100871
【出 处】
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2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
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基于GaN材料的高电子迁移率晶体管以其较高的击穿电压、较高的电子迁移率和较大的禁带宽度正成为下一代电力电子功率开关器件的有力竞争者.本文报道了一种基于氧化-湿法腐蚀的高性能增强型GaN功率开关器件.采用多周期等离子体氧化、盐酸湿法腐蚀逐次移除AlGaN势垒层,从而实现了低损伤栅下刻蚀技术,显著降低了势垒层刻蚀对晶格结构的损伤,在硅衬底的AlGaN/GaN异质结外延片上制成了常关型的场效应晶体管,该晶体管以Al203作为栅介质层,阈值电压达到1.98V,栅压为0V时的沟道电流为10-5mA/mm量级,实现了真正的增强型器件.栅漏间距30μm的器件在栅压为6V时器件饱和输出电流为283mA/mm,关态耐压在lmA/mm定义下达1680V.
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