【摘 要】
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本文针对分隔进口垂直高速转盘式MOCVD反应器(RDR)生长GaN的气相化学反应路径进行了研究.利用CFD软件Fluent,对RDR生长GaN过程中的化学反应进行模拟.通过对比考虑与不考虑(CH
【出 处】
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2014江苏省工程热物理学会第八届学术会议
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本文针对分隔进口垂直高速转盘式MOCVD反应器(RDR)生长GaN的气相化学反应路径进行了研究.利用CFD软件Fluent,对RDR生长GaN过程中的化学反应进行模拟.通过对比考虑与不考虑(CH3)3Ga:NH3+NH3→(CH3)2GaNH2+CH4+NH3反应的结果,分析该反应对RDR生长GaN化学反应路径的影响.结果表明,若考虑该反应,RDR反应器生长GaN的路径为加合路径;若不考虑该反应,生长路径则为热解路径.
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