离子束外延技术与新材料研究

来源 :2005年中国固体科学与新材料学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lvy_yvl2009

【摘要】

：

介绍了离子束外延(Ion-BeamEpitaxy,IBE)技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况.重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导

【作者】

：

杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国;

【机构】

：

中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

【出处】

：

2005年中国固体科学与新材料学术研讨会

【发表日期】

：

2005年期

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介绍了离子束外延(Ion-BeamEpitaxy,IBE)技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况.重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化物薄膜、难熔金属及其硅化物和氮化物薄膜、磁性金属多层膜、超硬薄膜及纳米结构材料薄膜等.展望了IBE新材料应用研究在中国的发展前景及应该采取的对策.

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