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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格具有光谱覆盖范围广、暗电流低、均匀性高等特点,是新一代红外成像探测的优选材料技术.自上世纪70年代,人们发现了Ⅱ类超晶格优越的红外探测性能之后,对其持续开展了深入的研究,近年来获得了长足的进展,美国西北大学等研究机构先后报道了百万像素的长波超晶格焦平面探测器,超晶格红外焦平面探测器已经在国外已经逐渐走向实用化.