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当前,随着信息存储技术、以及微弱信号检测技术的巨大需求和飞速发展,国际上很多小组在从事多铁隧穿、约瑟夫森结隧穿等隧穿现象的理论和技术开发工作,为信息存储和微弱信号检测做前期工作。其势垒材料通常是固态电介质,如Al2O3 薄膜、MgO 薄膜等,但后者的磁电阻效应是前者的近30 倍[1,2]。