【摘 要】
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We have studied the electrical properties of nonvolatile organic field-effect transistor (OFET) memory devices with Poly (methyl methacrylate) (PMMA) as charge trapping layer at-78.5℃, 20℃ and 80℃, re
【机 构】
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Institute of Advanced Materials (IAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications (NUPT), Nanj
【出 处】
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第八届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议
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We have studied the electrical properties of nonvolatile organic field-effect transistor (OFET) memory devices with Poly (methyl methacrylate) (PMMA) as charge trapping layer at-78.5℃, 20℃ and 80℃, respectively.The OFET memory devices show excellent nonvolatile memory characteristics with large memory window of over 80V and high ON/OFF current ratio of 104～105 over 104s.However, compared to that of the devices at 20℃, the memory performance of the devices at-78.5℃ and 80℃ reduces.
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