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本文从提高可见光利用率入手,首先制备了InVO<,4>/TiO<,2>复合半导体,为降低光生电子—空穴的复合率,在InVO<,4>/TiO<,2>复合半导体上又负载了Pt(IV),经低温煅烧形成Pt(IV)/InVO<,4>/TiO<,2>光催化剂.
Pt(IV)InVO,4TiO,2可见光催化剂的制备及性能研究
【摘 要】
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本文从提高可见光利用率入手,首先制备了InVO/TiO复合半导体,为降低光生电子—空穴的复合率,在InVO/TiO复合半导体上又负载了Pt(IV),经低温煅烧形成Pt(IV)/InVO/TiO光催化剂.
【机 构】
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福州大学光催化研究所
【出 处】
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2004'全国太阳能光化学与光催化学术会议
【发表日期】
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2004年9期
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