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纳米ZnO掺杂对高能压敏电阻的改性研究
纳米ZnO掺杂对高能压敏电阻的改性研究
来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:btmax22
【摘 要】
:
将不同掺杂量的纳米ZnO与微米ZnO相混合,对高能压敏电阻进行改性试验,可以大幅度提高压敏电阻的击穿电压、非线性系数、降低漏电流,保持原来的能量容量.对实现压敏电阻的高能
【作 者】
:
中国科学院固体物理研究所合肥(安徽合肥)
孙丹峰
季幼章
冯士芬
张立德
【机 构】
:
中国科学院等离子体物理研究所(安徽合肥)
【出 处】
:
第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
纳米
掺杂量
压敏电阻
线性系数
击穿电压
改性试验
低漏电流
高压化
微米
容量
能量
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将不同掺杂量的纳米ZnO与微米ZnO相混合,对高能压敏电阻进行改性试验,可以大幅度提高压敏电阻的击穿电压、非线性系数、降低漏电流,保持原来的能量容量.对实现压敏电阻的高能高压化具有重要意义.
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