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本论文主要研究了溶液法共面式/交叠式顶栅薄膜晶体管的制备，器件的偏压稳定性，和基于亚禁带缺陷态(DOS)和有缘层/绝缘层的界面缺陷态(Qit)的二维数值仿真，其中，器件的有缘层为ZnInSnO(ZITO)材料，绝缘层为HfAlO(HAO)材料。
溶液法顶栅氧化物薄膜晶体管的制备及稳定性研究
【摘 要】
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本论文主要研究了溶液法共面式/交叠式顶栅薄膜晶体管的制备，器件的偏压稳定性，和基于亚禁带缺陷态(DOS)和有缘层/绝缘层的界面缺陷态(Qit)的二维数值仿真，其中，器件的有缘层为ZnInSnO(ZITO)材料，绝缘层为HfAlO(HAO)材料。
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院;上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 上海市 200072
【出 处】
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第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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