【摘 要】
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本文研究了Zr掺杂NiO陶瓷ZrxNi1-2xO(x=0.1～0.2)的微结构和介电性能。用传统的固相反应法制备的陶瓷样品，随着Zr掺杂量的提高，晶粒尺寸变小，室温的相对介电值降低。Zr0.1Ni0.8O陶瓷的相对介电值,在210 K和测量频率为10 kHz时，达到104,并且在350 K以下，不随温度和测量频率变化;另外,其介电损耗值在210～350 K温度小于0.5。Zr0.1 Ni0.8O陶
【机 构】
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南京理工大学 理学院，江苏 南京 210094 南京大学 固体微结构实验室，江苏 南京 21009
【出 处】
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第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会
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本文研究了Zr掺杂NiO陶瓷ZrxNi1-2xO(x=0.1～0.2)的微结构和介电性能。用传统的固相反应法制备的陶瓷样品，随着Zr掺杂量的提高，晶粒尺寸变小，室温的相对介电值降低。Zr0.1Ni0.8O陶瓷的相对介电值,在210 K和测量频率为10 kHz时，达到104,并且在350 K以下，不随温度和测量频率变化;另外,其介电损耗值在210～350 K温度小于0.5。Zr0.1 Ni0.8O陶瓷相对介电系数复平面图表明该高介电特性遵循Maxwell-Wagner模型，陶瓷中有半导(导电)的晶粒和绝缘的晶界。该材料体电导和晶界电导随温度的变化遵循Arrhenius关系,相应的激活能为0.15eV和0.19eV,因此,势垒电容器效应是Zr0.1Ni0.8具有高介电性能的主要原因。Zr0.2Ni0.8O的介电特性具有相似的特征，只是相对介电系数值略低.而且相对介电值对晶粒尺寸的依赖关系也符合势垒电容器效应的规律。
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