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金刚石膜具有更高的热导率，优异的绝缘性能和化学稳定性，是重要的电子器件的热扩散(Heat spreader)材料之一。目前制备金刚石膜多采用微米金刚石膏研磨基底，然后利用CVD法生长而成，这种方法存在形核密度不高，晶粒取向定向性差等缺点，会影响金刚石膜的热导率的进一步的提高。
MWCVD法高速率生长自支撑金刚石膜及其作为热扩散片的应用
【摘 要】
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金刚石膜具有更高的热导率，优异的绝缘性能和化学稳定性，是重要的电子器件的热扩散(Heat spreader)材料之一。目前制备金刚石膜多采用微米金刚石膏研磨基底，然后利用CVD法生
【机 构】
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哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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