【摘 要】
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利用模拟软件Apsys对GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)中的载流子分布和输运进行模拟计算,研究如何改善LED中的效率下降(efficiency droop)问题。采用变化的垒层厚度形成非对称量子阱结构,代替传统的均匀多量子阱作为激光器的有源区。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 中国科学院苏州纳米技术与纳
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利用模拟软件Apsys对GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)中的载流子分布和输运进行模拟计算,研究如何改善LED中的效率下降(efficiency droop)问题。采用变化的垒层厚度形成非对称量子阱结构,代替传统的均匀多量子阱作为激光器的有源区。
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