分辨率增强技术在65 nm-45 nm ArF光刻中的应用

来源 :第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tonight000

【摘要】

：

本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿真软件MicroCruisor,分析了全曝光场内,像差、杂散光、偏振、掩模误差因子、工件台同步运动精度(MSD)等,对不同密度线条光刻性能的影响.结果表明,考虑IC制造实际条件的诸多影响因素后,在一定的焦深内获得满足光刻性能要求的图形,必须重新优化所使

【作者】

：

李艳秋张飞

【机构】

：

中国科学院电工研究所,北京,100080 中国科学院电工研究所,北京,100080;中国科学院研究

【出处】

：

第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

分辨率增强 ArF光刻离轴照明相移掩模 PROLITH

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