【摘 要】
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越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态,器件内部载流子在高场下发生碰撞离化,
【机 构】
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中科院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
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越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态,器件内部载流子在高场下发生碰撞离化,从而使探测信号产生增益。本文首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾,然后重点报道了器件的增益最大可达3×105,介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系,简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统,并研究了过剩噪声与调制频率之间的关系,发现在低频波段(30 Hz-2K Hz),过剩噪声呈现1/f噪声特性。最后,对盖革模式的雪崩光电二极管的研究进展及应用前景进行了简单介绍。
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