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当在CF<,4>等离子体中掺入氧气时,由于增强了光刻胶的刻蚀作用,而使刻蚀的选择性和各向异性变差.为此,在本实验中用甲烷来代替氧气.研究发现poly-Si的刻蚀速率随着甲烷含量的增加而增大,在30％处出现最大值;SiO<,2>的刻蚀速率随甲烷含量的增加而缓慢下降.而poly-Si和SiO<,2>的刻蚀轮廓随着甲烷的掺入而保持完整.